Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 628–632 (Mi phts6463)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

A new simulation model for inhomogeneous Au/$n$-GaN structure

Nese Kavasoglu, Abdulkadir Sertap Kavasoglu, Bengul Metin

Mugla Sitki Kocman University, Faculty of Sciences, Department of Physics, Photovoltaic Material and Device Laboratory, Kotekli, Mugla, Turkey
Аннотация: The larger the device area, the more difficult to carry on homogeneity during the fabrication and following treatments. Structural inhomogeneity may indicate themselves in variations in local electronic device parameters. Electrical current through the potential barriers is exponentially sensitive to the local device parameters and its fluctuations in the Schottky devices. A new simulation program is developed to describe a relation between multiple, random barrier heights and current-voltage characteristics of the Schottky device. We model the barrier height inhomogeneity in terms of random microcells connected in parallel, which have different barrier height values. Analyzing the integral of the simulated light current-voltage curves show that fluctuations of the local barrier height result in a degradation of the open circuit voltage, fill factor and in consequence, of the over all power conversation efficiency. The implementation described here is quite general and can be used to simulate any device parameter fluctuations in the Schottky devices.
Ключевые слова: Barrier Height, Fill Factor, Open Circuit Voltage, Current Voltage Characteristic, Schottky Barrier Height.
Поступила в редакцию: 10.04.2015
Принята в печать: 12.11.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 5, Pages 616–620
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616050134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Nese Kavasoglu, Abdulkadir Sertap Kavasoglu, Bengul Metin, “A new simulation model for inhomogeneous Au/$n$-GaN structure”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 628–632; Semiconductors, 50:5 (2016), 616–620
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KavKavMet16}
\by Nese~Kavasoglu, Abdulkadir~Sertap~Kavasoglu, Bengul~Metin
\paper A new simulation model for inhomogeneous Au/$n$-GaN structure
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 628--632
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6463}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368885}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 616--620
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616050134}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6463
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p628
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024