|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 596–599
(Mi phts6457)
|
|
|
|
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке
В. Я. Алешкинab, А. А. Дубиновab, К. Е. Кудрявцевab, П. А. Юнинab, М. Н. Дроздовab, О. В. Вихроваc, С. М. Некоркинc, Б. Н. Звонковc a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Исследованы структурные и оптические свойства метаморфного объемного слоя GaAsSb, выращенного на GaAs-подложке. При достижении величины плотности мощности возбуждения (длина волны 0.65 мкм) 9 кВт/см$^{2}$ при температуре жидкого азота и 230 кВт/см$^{2}$ при комнатной температуре наблюдалась суперлюминесценция на длинах волн 0.943 и 0.992 мкм соответственно.
Поступила в редакцию: 27.10.2015 Принята в печать: 03.11.2015
Образец цитирования:
В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, О. В. Вихрова, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, “Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 596–599; Semiconductors, 50:5 (2016), 586–589
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6457 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p596
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 15 |
|