|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 589–595
(Mi phts6456)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Рентгенопроводимость монокристаллического ZnSe
В. Я. Дегода, Г. П. Подуст Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет
Аннотация:
Экспериментально полученные вольт-амперные и люкс-амперные характеристики рентгенопроводимости и рентгенолюминесценции монокристаллов селенида цинка имеют нелинейный характер. Проведенный теоретический анализ кинетики рентгенопроводимости показал, что даже при наличии мелких и глубоких ловушек для свободных носителей в полупроводниковом образце интегральные характеристики рентгенопроводимости (люкс-амперные и вольт-амперные зависимости) должны быть линейными. Можно предположить, что нелинейности экспериментально полученных вольт-амперных и люкс-амперных характеристик могут быть обусловлены характером генерации свободных носителей при рентгеновском облучении – генерацией сотен тысяч свободных носителей противоположного знака в локальной области диаметром $<$ 1 мкм и кулоновским взаимодействием свободных носителей противоположных знаков.
Поступила в редакцию: 29.09.2015 Принята в печать: 07.10.2015
Образец цитирования:
В. Я. Дегода, Г. П. Подуст, “Рентгенопроводимость монокристаллического ZnSe”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 589–595; Semiconductors, 50:5 (2016), 579–585
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6456 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p589
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 20 | PDF полного текста: | 5 |
|