Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 589–595 (Mi phts6456)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Рентгенопроводимость монокристаллического ZnSe

В. Я. Дегода, Г. П. Подуст

Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет
Аннотация: Экспериментально полученные вольт-амперные и люкс-амперные характеристики рентгенопроводимости и рентгенолюминесценции монокристаллов селенида цинка имеют нелинейный характер. Проведенный теоретический анализ кинетики рентгенопроводимости показал, что даже при наличии мелких и глубоких ловушек для свободных носителей в полупроводниковом образце интегральные характеристики рентгенопроводимости (люкс-амперные и вольт-амперные зависимости) должны быть линейными. Можно предположить, что нелинейности экспериментально полученных вольт-амперных и люкс-амперных характеристик могут быть обусловлены характером генерации свободных носителей при рентгеновском облучении – генерацией сотен тысяч свободных носителей противоположного знака в локальной области диаметром $<$ 1 мкм и кулоновским взаимодействием свободных носителей противоположных знаков.
Поступила в редакцию: 29.09.2015
Принята в печать: 07.10.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 5, Pages 579–585
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616050067
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Дегода, Г. П. Подуст, “Рентгенопроводимость монокристаллического ZnSe”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 589–595; Semiconductors, 50:5 (2016), 579–585
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DegPod16}
\by В.~Я.~Дегода, Г.~П.~Подуст
\paper Рентгенопроводимость монокристаллического ZnSe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 589--595
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6456}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368878}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 579--585
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616050067}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6456
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p589
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:20
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024