|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 582–588
(Mi phts6455)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Локализация полос межзонных переходов в объеме зоны Бриллюэна кристаллов группы III–V
В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков Удмуртский государственный университет, г. Ижевск
Аннотация:
В рамках теории функционала электронной плотности определена локализация переходов в объеме зоны Бриллюэна, формирующих основные структуры в спектрах мнимой части диэлектрической функции до $\sim$7 эВ полупроводников группы III–V (AlSb, GaSb, InSb и InAs). Выявлено, что интенсивные переходы происходят не только в окрестности осей высокой симметрии зоны Бриллюэна, но и в нескольких конкретных больших объемах неприводимой части зоны Бриллюэна.
Поступила в редакцию: 17.09.2015 Принята в печать: 14.10.2015
Образец цитирования:
В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков, “Локализация полос межзонных переходов в объеме зоны Бриллюэна кристаллов группы III–V”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 582–588
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6455 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p582
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 6 |
|