|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 577–581
(Mi phts6454)
|
|
|
|
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Анизотропия теплового расширения монокристаллов CuIn$_{5}$Se$_{8}$ двух структурных модификаций
И. В. Боднарь Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Аннотация:
На монокристаллах двух структурных модификаций (тригональной и гексагональной) соединения CuIn$_{5}$Sе$_{8}$, выращенных направленной кристаллизацией расплава, исследовано тепловое расширение в интервале температур 80–700 K. По полученным данным проведен расчет коэффициентов теплового расширения для обеих структурных модификаций. Установлено, что тепловое расширение в исследуемом интервале температур для указанных модификаций анизотропно. Для тригональной модификации коэффициент теплового расширения в направлении оси $\mathbf{c}$ $(\alpha_{c})$ больше коэффициента теплового расширения вдоль перпендикулярной ей оси $\mathbf{a}$ $(\alpha_{a})$. Для гексагональной модификации CuIn$_{5}$Se$_{8}$ коэффициент теплового расширения в направлении оси $\mathbf{c}$ проявляет аномальный характер: c ростом температуры он увеличивается, после чего происходит спад до отрицательных значений с достижением минимума, затем дальнейший его рост. Такое поведение $\alpha_{c}$ связано с фазовым превращением гексагональной модификации соединения CuIn$_{5}$Sе$_{8}$ в тригональную.
Поступила в редакцию: 10.11.2015 Принята в печать: 16.11.2015
Образец цитирования:
И. В. Боднарь, “Анизотропия теплового расширения монокристаллов CuIn$_{5}$Se$_{8}$ двух структурных модификаций”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 577–581; Semiconductors, 50:5 (2016), 567–571
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6454 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p577
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 17 |
|