Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 577–581 (Mi phts6454)  

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Анизотропия теплового расширения монокристаллов CuIn$_{5}$Se$_{8}$ двух структурных модификаций

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Аннотация: На монокристаллах двух структурных модификаций (тригональной и гексагональной) соединения CuIn$_{5}$$_{8}$, выращенных направленной кристаллизацией расплава, исследовано тепловое расширение в интервале температур 80–700 K. По полученным данным проведен расчет коэффициентов теплового расширения для обеих структурных модификаций. Установлено, что тепловое расширение в исследуемом интервале температур для указанных модификаций анизотропно. Для тригональной модификации коэффициент теплового расширения в направлении оси $\mathbf{c}$ $(\alpha_{c})$ больше коэффициента теплового расширения вдоль перпендикулярной ей оси $\mathbf{a}$ $(\alpha_{a})$. Для гексагональной модификации CuIn$_{5}$Se$_{8}$ коэффициент теплового расширения в направлении оси $\mathbf{c}$ проявляет аномальный характер: c ростом температуры он увеличивается, после чего происходит спад до отрицательных значений с достижением минимума, затем дальнейший его рост. Такое поведение $\alpha_{c}$ связано с фазовым превращением гексагональной модификации соединения CuIn$_{5}$$_{8}$ в тригональную.
Поступила в редакцию: 10.11.2015
Принята в печать: 16.11.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 5, Pages 567–571
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616050055
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Боднарь, “Анизотропия теплового расширения монокристаллов CuIn$_{5}$Se$_{8}$ двух структурных модификаций”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 577–581; Semiconductors, 50:5 (2016), 567–571
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bon16}
\by И.~В.~Боднарь
\paper Анизотропия теплового расширения монокристаллов CuIn$_{5}$Se$_{8}$ двух структурных модификаций
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 577--581
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6454}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368876}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 567--571
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616050055}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6454
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p577
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024