Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 839–842 (Mi phts6449)  
Физика полупроводниковых приборов

Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4$H$-SiC-транзистора

А. И. Михайловa, А. В. Афанасьевa, В. А. Ильинa, В. В. Лучининa, С. А. Решановb, A. Schönerb

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
b Ascatron AB, Kista, Sweden
PDF полного текста (236 kB)
Аннотация: Предложен новый метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого транзистора на карбиде кремния политипа 4$H$ при помощи окисления двухслойной системы, состоящей из тонкого слоя нитрида кремния и диоксида кремния. Наряду с увеличением подвижности носителей заряда в канале транзистора наблюдается снижение среднего значения поля пробоя по сравнению с подзатворным диэлектриком, выращенным в атмосфере N$_{2}$O.
Поступила в редакцию: 03.12.2015
Принята в печать: 08.12.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 6, Pages 824–827
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616060178
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, С. А. Решанов, A. Schöner, “Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4$H$-SiC-транзистора”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 839–842; Semiconductors, 50:6 (2016), 824–827
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MikAfaIly16}
\by А.~И.~Михайлов, А.~В.~Афанасьев, В.~А.~Ильин, В.~В.~Лучинин, С.~А.~Решанов, A.~Sch\"oner
\paper Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4$H$-SiC-транзистора
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 839--842
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6449}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368922}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 824--827
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616060178}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6449
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p839
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024