|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 839–842
(Mi phts6449)
|
|
|
|
Физика полупроводниковых приборов
Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4$H$-SiC-транзистора
А. И. Михайловa, А. В. Афанасьевa, В. А. Ильинa, В. В. Лучининa, С. А. Решановb, A. Schönerb a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
b Ascatron AB, Kista, Sweden
Аннотация:
Предложен новый метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого транзистора на карбиде кремния политипа 4$H$ при помощи окисления двухслойной системы, состоящей из тонкого слоя нитрида кремния и диоксида кремния. Наряду с увеличением подвижности носителей заряда в канале транзистора наблюдается снижение среднего значения поля пробоя по сравнению с подзатворным диэлектриком, выращенным в атмосфере N$_{2}$O.
Поступила в редакцию: 03.12.2015 Принята в печать: 08.12.2015
Образец цитирования:
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, С. А. Решанов, A. Schöner, “Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4$H$-SiC-транзистора”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 839–842; Semiconductors, 50:6 (2016), 824–827
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6449 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p839
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 22 | PDF полного текста: | 26 |
|