Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 816–824 (Mi phts6445)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Углеродные системы

Примесь замещения в однослойном графене: модели Костера–Слэтера и Андерсона

С. Ю. Давыдовab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация: Для рассмотрения примесей замещения в свободном однослойном графене использованы модели Костера–Слэтера и Андерсона. Плотность состояний графена также описывается модельным образом (M-модель). Для примесей азота и бора определены числа заполнения и значения параметра $\eta$, равного доле делокализованных электронов примеси. При этом экспериментальные данные использовались как для определения параметров моделей, так и для сопоставления с результатами теоретических оценок. Обсуждаются общие черты и различия моделей Костера–Слэтера и Андерсона. Так, например, показано, что зонные вклады в числа заполнения атома азота в обеих моделях сравнимы, тогда как локальные вклады сильно различаются: если в модели Костера–Слэтера они являются определяющими, то в модели Андерсона пренебрежимо малы. В модели Костера–Слэтера рассмотрена асимптотика волновых функций дефекта, а в модели Андерсона – электронные состояния примесных димеров.
Поступила в редакцию: 17.11.2015
Принята в печать: 08.12.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 6, Pages 801–809
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261606004X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, “Примесь замещения в однослойном графене: модели Костера–Слэтера и Андерсона”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 816–824; Semiconductors, 50:6 (2016), 801–809
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dav16}
\by С.~Ю.~Давыдов
\paper Примесь замещения в однослойном графене: модели Костера--Слэтера и Андерсона
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 816--824
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6445}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368918}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 801--809
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261606004X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6445
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p816
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024