|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 816–824
(Mi phts6445)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Углеродные системы
Примесь замещения в однослойном графене: модели Костера–Слэтера и Андерсона
С. Ю. Давыдовab a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Для рассмотрения примесей замещения в свободном однослойном графене использованы модели Костера–Слэтера и Андерсона. Плотность состояний графена также описывается модельным образом (M-модель). Для примесей азота и бора определены числа заполнения и значения параметра $\eta$, равного доле делокализованных электронов примеси. При этом экспериментальные данные использовались как для определения параметров моделей, так и для сопоставления с результатами теоретических оценок. Обсуждаются общие черты и различия моделей Костера–Слэтера и Андерсона. Так, например, показано, что зонные вклады в числа заполнения атома азота в обеих моделях сравнимы, тогда как локальные вклады сильно различаются: если в модели Костера–Слэтера они являются определяющими, то в модели Андерсона пренебрежимо малы. В модели Костера–Слэтера рассмотрена асимптотика волновых функций дефекта, а в модели Андерсона – электронные состояния примесных димеров.
Поступила в редакцию: 17.11.2015 Принята в печать: 08.12.2015
Образец цитирования:
С. Ю. Давыдов, “Примесь замещения в однослойном графене: модели Костера–Слэтера и Андерсона”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 816–824; Semiconductors, 50:6 (2016), 801–809
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6445 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p816
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 15 |
|