Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 811–815 (Mi phts6444)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Inter atomic force constants of binary and ternary tetrahedral semiconductors

Suresh Pala, R. K. Tiwaria, D. C. Guptaa, Vibhav K. Saraswatb, A. S. Vermab

a Department of Physics, Jiwaji University, Gwalior, India
b Department of Physics, Banasthali Vidyapith, Rajasthan, India
Аннотация: In this paper, we present the expressions relating the inter atomic force constants like as bond-stretching force constant ($\alpha$ in $N/m$) and bond-bending force constant ($\beta$ in $N/m$) for the binary (zinc blende structure) and ternary (chalcopyrite structure) semiconductors with the product of ionic charges (PIC) and crystal ionicity ($f_{i}$). Interatomic force constants of these compounds exhibit a linear relationship; when plot a graph between Interatomic force constants and the nearest neighbor distance $d$ ($\mathring{\mathrm{A}}$) with crystal ionicity ($f_{i}$), but fall on different straight lines according to the product of ionic charges of these compounds. A fairly good agreement has been found between the observed and calculated values of the $\alpha$ and $\beta$ for binary and ternary tetrahedral semiconductors.
Поступила в редакцию: 16.06.2015
Принята в печать: 12.11.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 6, Pages 795–800
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261606018X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Suresh Pal, R. K. Tiwari, D. C. Gupta, Vibhav K. Saraswat, A. S. Verma, “Inter atomic force constants of binary and ternary tetrahedral semiconductors”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 811–815; Semiconductors, 50:6 (2016), 795–800
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PalTiwGup16}
\by Suresh~Pal, R.~K.~Tiwari, D.~C.~Gupta, Vibhav~K.~Saraswat, A.~S.~Verma
\paper Inter atomic force constants of binary and ternary tetrahedral semiconductors
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 811--815
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6444}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368917}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 795--800
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261606018X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6444
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p811
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024