Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 735–737 (Mi phts6432)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Аномальная термоэдс в кристаллах Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$

О. Г. Грушка

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
Аннотация: На основе данных по коэффициенту Холла показана возможность существования потенциальных барьеров в области примесной проводимости сильно компенсированных кристаллов Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$. Дано качественное обсуждение роли барьеров в аномальном характере явлений переноса. Экстремально высокие значения термоэдс объясняются сложением термоэдс контактных разностей потенциалов между областями с различной концентрацией электронов.
Поступила в редакцию: 03.11.2015
Принята в печать: 18.11.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 6
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616060075
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Г. Грушка, “Аномальная термоэдс в кристаллах Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 735–737
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gru16}
\by О.~Г.~Грушка
\paper Аномальная термоэдс в кристаллах Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 735--737
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6432}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368905}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6432
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p735
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024