|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 735–737
(Mi phts6432)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Аномальная термоэдс в кристаллах Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$
О. Г. Грушка Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
Аннотация:
На основе данных по коэффициенту Холла показана возможность существования потенциальных барьеров в области примесной проводимости сильно компенсированных кристаллов Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$. Дано качественное обсуждение роли барьеров в аномальном характере явлений переноса. Экстремально высокие значения термоэдс объясняются сложением термоэдс контактных разностей потенциалов между областями с различной концентрацией электронов.
Поступила в редакцию: 03.11.2015 Принята в печать: 18.11.2015
Образец цитирования:
О. Г. Грушка, “Аномальная термоэдс в кристаллах Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 735–737
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6432 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p735
|
|