|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 731–734
(Mi phts6431)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Оптические свойства тонких пленок соединения In$_{2}$Se$_{3}$
И. В. Боднарь Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Аннотация:
Методом ионно-лучевого испарения при температурах подложки 313 и 623 K получены пленки соединения In$_{2}$Sе$_{3}$. В качестве мишени использовались монокристаллы указанного соединения, выращенные вертикальным методом Бриджмена. Методом рентгеноспектрального анализа определен состав, рентгеновским методом — структура полученных кристаллов и пленок. Установлено, что как кристаллы, так и пленки кристаллизуются в гексагональной структуре. По спектрам пропускания и отражения определены значения ширины запрещенной зоны пленок In$_{2}$Sе$_{3}$, а также показателя преломления. Установлено, что с ростом температуры подложки ширина запрещенной зоны увеличивается.
Поступила в редакцию: 08.10.2015 Принята в печать: 17.11.2015
Образец цитирования:
И. В. Боднарь, “Оптические свойства тонких пленок соединения In$_{2}$Se$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 731–734; Semiconductors, 50:6 (2016), 715–718
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6431 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p731
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 10 |
|