Оптические свойства тонких пленок соединения In$_{2}$Se$_{3}$

Методом ионно-лучевого испарения при температурах подложки 313 и 623 K получены пленки соединения In$_{2}$Sе$_{3}$. В качестве мишени использовались монокристаллы указанного соединения, выращенные вертикальным методом Бриджмена. Методом рентгеноспектрального анализа определен состав, рентгеновским методом — структура полученных кристаллов и пленок. Установлено, что как кристаллы, так и пленки кристаллизуются в гексагональной структуре. По спектрам пропускания и отражения определены значения ширины запрещенной зоны пленок In$_{2}$Sе$_{3}$, а также показателя преломления. Установлено, что с ростом температуры подложки ширина запрещенной зоны увеличивается.