|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 721–724
(Mi phts6429)
|
|
|
|
Электронные свойства полупроводников
Об итогах 12-й Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, Звенигород, Москва, 20-25 сентября 2015 г.)
Д. Р. Хохловab a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация:
Представлены итоги 12-й Российской конференции по физике полупроводников (РКФП-12), состоявшейся 20–25 сентября 2015 года в пансионате “Ершово” близ г. Звенигород, Московская область. Приведена статистика докладов по секциям, анализируются тенденции изменения интересов исследований по сравнению с предыдущей, 11-й Российской конференцией по физике полупроводников, состоявшейся в 2013 году в Санкт-Петербурге, а также по сравнению с 32-й Международной конференцией по физике полупроводников, проводившейся в 2014 г. в Остине (Техас, США). Обозначены основные особенности нынешней конференции, приведены наиболее интересные, с точки зрения автора, направления исследований.
Поступила в редакцию: 24.11.2015 Принята в печать: 30.11.2015
Образец цитирования:
Д. Р. Хохлов, “Об итогах 12-й Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, Звенигород, Москва, 20-25 сентября 2015 г.)”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 721–724; Semiconductors, 50:6 (2016), 705–708
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6429 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p721
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 30 | PDF полного текста: | 9 |
|