Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 721–724 (Mi phts6429)  

Электронные свойства полупроводников

Об итогах 12-й Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, Звенигород, Москва, 20-25 сентября 2015 г.)

Д. Р. Хохловab

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация: Представлены итоги 12-й Российской конференции по физике полупроводников (РКФП-12), состоявшейся 20–25 сентября 2015 года в пансионате “Ершово” близ г. Звенигород, Московская область. Приведена статистика докладов по секциям, анализируются тенденции изменения интересов исследований по сравнению с предыдущей, 11-й Российской конференцией по физике полупроводников, состоявшейся в 2013 году в Санкт-Петербурге, а также по сравнению с 32-й Международной конференцией по физике полупроводников, проводившейся в 2014 г. в Остине (Техас, США). Обозначены основные особенности нынешней конференции, приведены наиболее интересные, с точки зрения автора, направления исследований.
Поступила в редакцию: 24.11.2015
Принята в печать: 30.11.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 6, Pages 705–708
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616060117
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Информационный материал
Образец цитирования: Д. Р. Хохлов, “Об итогах 12-й Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, Звенигород, Москва, 20-25 сентября 2015 г.)”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 721–724; Semiconductors, 50:6 (2016), 705–708
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kho16}
\by Д.~Р.~Хохлов
\paper Об итогах 12-й Российской конференции по физике полупроводников (Ершово, Звенигород, Москва, 20-25 сентября 2015 г.)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 721--724
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6429}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368902}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 705--708
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616060117}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6429
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p721
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024