Электронографическое исследование стадий формирования графеновой пленки при термодеструкции 6$H$-SiC (000$\bar1$) в вакууме

Проведено электронографическое исследование структуры графеновых слоев, полученных сублимацией на поверхности подложки 6$H$-SiC (000$\bar1$), в зависимости от температуры сублимации и способа предобработки поверхности подложки. Установлено, что применение полирующего сублимационного травления подложки перед термодеструкцией при температуре 1350$^\circ$C на поверхности подложки приводит к образованию доменов монокристаллического графена с разворотом его кристаллической решетки на 30$^\circ$ относительно решетки SiC и небольшой доли доменов с аморфной структурой. Повышение температуры до 1500$^\circ$C приводит к частичному образованию в пленке поликристаллической фазы графена с турбостратной структурой при сохранении преимущественной ориентации кристаллитов графена, как при 1350$^\circ$C. Применение предростового отжига перед термодеструкцией позволяет вырастить графеновую пленку с более упорядоченной и однородной структурой без включений в нее аморфной и поликристаллической составляющих. Преимущественная ориентация доменов графена в пленке остается неизменной.