Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 918–920 (Mi phts6412)  

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния

А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: На поверхности кремния прямым локальным перепылением с зонда атомно-силового микроскопа созданы проводящие индиевые нанопроволоки шириной до 50 нм и длиной до 10 мкм. Перенос индия с зонда атомно-силового микроскопа на поверхность кремния инициировался при приложении потенциала между зондом и поверхностью при их сближении до расстояний, когда сила взаимного отталкивания составляет $\sim$10$^{-7}$ Н. Проводимость созданных нанопроволок лежит в диапазоне от 7 $\cdot$ 10$^{-3}$ до 4 $\cdot$ 10$^{-2}$ Ом $\cdot$ см, что на несколько порядков меньше, чем в альтернативном методe термального переноса.
Поступила в редакцию: 29.09.2015
Принята в печать: 21.12.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 7, Pages 901–903
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616070095
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 918–920; Semiconductors, 50:7 (2016), 901–903
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KozShcLat16}
\by А.~С.~Кожухов, Д.~В.~Щеглов, А.~В.~Латышев
\paper Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 918--920
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6412}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368935}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 901--903
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616070095}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6412
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i7/p918
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024