|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 918–920
(Mi phts6412)
|
|
|
|
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния
А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
На поверхности кремния прямым локальным перепылением с зонда атомно-силового микроскопа созданы проводящие индиевые нанопроволоки шириной до 50 нм и длиной до 10 мкм. Перенос индия с зонда атомно-силового микроскопа на поверхность кремния инициировался при приложении потенциала между зондом и поверхностью при их сближении до расстояний, когда сила взаимного отталкивания составляет $\sim$10$^{-7}$ Н. Проводимость созданных нанопроволок лежит в диапазоне от 7 $\cdot$ 10$^{-3}$ до 4 $\cdot$ 10$^{-2}$ Ом $\cdot$ см, что на несколько порядков меньше, чем в альтернативном методe термального переноса.
Поступила в редакцию: 29.09.2015 Принята в печать: 21.12.2015
Образец цитирования:
А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, “Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 918–920; Semiconductors, 50:7 (2016), 901–903
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6412 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i7/p918
|
|