Влияние легирования таллием на подвижности электронов в Bi$_{2}$Se$_{3}$ и дырок в Sb$_{2}$Te$_{3}$

Исследован эффект Шубникова–де-Гааза и эффект Холла в монокристаллах $n$-Bi$_{2-x}$Tl$_{x}$Se$_{3}$ ($x$ = 0, 0.01, 0.02, 0.04) и $p$-Sb$_{2-x}$Tl$_{x}$Te$_{3}$ ($x$ = 0, 0.005, 0.015, 0.05). По фурье-спектрам осцилляций рассчитаны подвижности носителей заряда и их изменение при легировании Tl. Установлено, что легирование Tl понижает концентрацию электронов в $n$-Bi$_{2-x}$Tl$_{x}$Se$_{3}$ и увеличивает их подвижность. В $p$-Sb$_{2-x}$Tl$_{x}$Te$_{3}$ и концентрация дырок, и их подвижность уменьшаются при легировании Tl. Обсуждается изменение дефектности кристаллов, которое и приводит к этим эффектам.