Изменение проводимости тонких пленок селенида свинца после плазменного травления

Проведено изучение электропроводности тонких эпитаксиальных пленок $n$-PbSe и $p$-PbSe после процесса сухого травления в аргоновой плазме высокочастотного индукционного разряда низкого давления при энергии бомбардирующих ионов 200 эВ. Показано, что наблюдаемые изменения хорошо объясняются в рамках классической модели возникновения радиационных дефектов донорного типа, а процессы пострадиационного отжига в вакууме приводят к устранению таких дефектов. В рамках теории Фукса–Зондгеймера определены величины длины свободного пробега носителей заряда в пленках $p$-PbSe, которые при комнатной температуре составили 16 и 32 нм для параметра зеркальности 0 и 0.5 соответственно.