|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1146–1150
(Mi phts6403)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Изменение проводимости тонких пленок селенида свинца после плазменного травления
С. П. Зиминa, И. И. Амировb, В. В. Наумовb a Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова
b Ярославский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института РАН
Аннотация:
Проведено изучение электропроводности тонких эпитаксиальных пленок $n$-PbSe и $p$-PbSe после процесса сухого травления в аргоновой плазме высокочастотного индукционного разряда низкого давления при энергии бомбардирующих ионов 200 эВ. Показано, что наблюдаемые изменения хорошо объясняются в рамках классической модели возникновения радиационных дефектов донорного типа, а процессы пострадиационного отжига в вакууме приводят к устранению таких дефектов. В рамках теории Фукса–Зондгеймера определены величины длины свободного пробега носителей заряда в пленках $p$-PbSe, которые при комнатной температуре составили 16 и 32 нм для параметра зеркальности 0 и 0.5 соответственно.
Поступила в редакцию: 02.02.2016 Принята в печать: 09.02.2016
Образец цитирования:
С. П. Зимин, И. И. Амиров, В. В. Наумов, “Изменение проводимости тонких пленок селенида свинца после плазменного травления”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1146–1150; Semiconductors, 50:8 (2016), 1125–1129
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6403 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i8/p1146
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 18 |
|