Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1128–1132 (Mi phts6399)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Оценка эффективности введения пористого слоя в подложку структур кремний-на-сапфире для повышения надежности приборов при облучении

П. А. Александров, Е. К. Баранова, В. В. Бударагин

Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
PDF полного текста (209 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Рассмотрена эффективность введения пористого слоя, создаваемого в подложке структуры кремний-на-сапфире методом ионной имплантации ионов Не с целью повышения радиационной стойкости приборов. Проведен анализ свойств введенного слоя и его параметров, влияющих на снижение концентрации генерируемых облучением неосновных носителей заряда. Представленные результаты аналитического анализа и расчетов могут быть использованы для оптимизации режимов имплантации ионов Не при создании пористого слоя.
Поступила в редакцию: 23.12.2015
Принята в печать: 11.01.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 8, Pages 1107–1111
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616080054
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Александров, Е. К. Баранова, В. В. Бударагин, “Оценка эффективности введения пористого слоя в подложку структур кремний-на-сапфире для повышения надежности приборов при облучении”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1128–1132; Semiconductors, 50:8 (2016), 1107–1111
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleBarBud16}
\by П.~А.~Александров, Е.~К.~Баранова, В.~В.~Бударагин
\paper Оценка эффективности введения пористого слоя в подложку структур кремний-на-сапфире для повышения надежности приборов при облучении
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 8
\pages 1128--1132
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6399}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368974}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 8
\pages 1107--1111
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616080054}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6399
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i8/p1128
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025