Динамическая теплоэлектрическая модель светоизлучающей структуры со слоем растекания тока

Рассмотрена нестационарная теплоэлектрическая модель осесимметричной гетероструктуры светоизлучающего прибора с учетом механизмов положительной обратной связи и влияния сопротивления слоя растекания тока. С учетом эффекта локализации тока найдено неоднородное распределение плотности тока гетероперехода по площади гетероструктуры. Численно-аналитическим итерационным методом решено нестационарное уравнение теплопроводности с температурозависимой плотностью тока, втекающего в гетеропереход. На основе развитой модели найдены распределения плотности тока, температуры и термомеханических напряжений для плоскости гетероперехода.