|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1095–1099
(Mi phts6393)
|
|
|
|
Физика полупроводниковых приборов
Исследование фотоиндуцированной деградации в тандемных фотопреобразователях на основе $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H
А. С. Абрамовab, Д. А. Андрониковab, К. В. Емцевab, А. В. Кукинab, А. В. Семеновab, Е. Е. Теруковаab, A. С. Титовab, С. А. Яковлевab a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург
Аннотация:
В рамках работы исследована фотоиндуцированная деградация фотопреобразователей на основе тандемной структуры $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H при стандартной освещенности 1000 Вт/м$^{2}$. В ходе испытаний были измерены спектральные и вольт-амперные характеристики специально изготовленных образцов с различной степенью кристалличности собственного слоя нижнего (микрокристаллического) каскада.
Поступила в редакцию: 29.07.2015 Принята в печать: 28.08.2015
Образец цитирования:
А. С. Абрамов, Д. А. Андроников, К. В. Емцев, А. В. Кукин, А. В. Семенов, Е. Е. Терукова, A. С. Титов, С. А. Яковлев, “Исследование фотоиндуцированной деградации в тандемных фотопреобразователях на основе $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1095–1099; Semiconductors, 50:8 (2016), 1074–1078
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6393 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i8/p1095
|
|