|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1081–1085
(Mi phts6391)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Углеродные системы
Электромагнитное излучение электронов в гофрированном графене
С. А. Ктиторовab, Р. И. Мухамадьяровa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
Аннотация:
Проанализировано тормозное электромагнитное излучение в гофрированном монослойном графене в присутствии транспортного тока в баллистическом режиме. Излучение подобной природы наблюдается в ондуляторе и вигглере. Рассмотрены случаи регулярной и хаотической гофрировки (ripples). Показано, что квадратичное соотношение монжевской мембранной функции и синтетического калибровочного поля ведет к появлению центрального пика спектральной функции излучения. Предложены возможные механизмы образования гофрировки монослойного графена. В первом из них гофрировка рассматривается как несоразмерная сверхструктура в двумерном кристалле, возникающая в результате развития неустойчивости в подсистеме оптических фононов с образованием периодической последовательности солитонов. Гофрировка возникает в результате взаимодействия подсистем. Другой возможный механизм состоит в неустойчивости плоского состояния мембраны благодаря сильным флуктуациям, характерным для двумерных систем.
Поступила в редакцию: 11.01.2016 Принята в печать: 25.01.2016
Образец цитирования:
С. А. Ктиторов, Р. И. Мухамадьяров, “Электромагнитное излучение электронов в гофрированном графене”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1081–1085; Semiconductors, 50:8 (2016), 1060–1064
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6391 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i8/p1081
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 26 | PDF полного текста: | 13 |
|