|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1075–1076
(Mi phts6389)
|
|
|
|
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Влияние одноосной деформации на вольт-амперную характеристику $p$-Ge/$n$-GaAs гетероструктуры
М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия
Аннотация:
Исследовано влияние одноосной деформации с силой до 6 кг/см$^{2}$ на вольт-амперную характеристику $p$-Ge/$n$-GaAs гетероструктуры при 300 и 77 K.
Найдено увеличение с давлением как прямого, так и обратного тока, причем изменение прямого тока на порядок больше, чем обратного. Исследована деформация и в зависимости от кристаллографических направлений, обнаружено, что при направлении сжатия, параллельном $\langle$111$\rangle$, эффект максимален. Результат может быть использован при создании датчиков одноосной деформации.
Поступила в редакцию: 28.12.2015 Принята в печать: 01.04.2016
Образец цитирования:
М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева, “Влияние одноосной деформации на вольт-амперную характеристику $p$-Ge/$n$-GaAs гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1075–1076; Semiconductors, 50:8 (2016), 1054–1055
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6389 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i8/p1075
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 27 | PDF полного текста: | 7 |
|