|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1059–1063
(Mi phts6386)
|
|
|
|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами
И. А. Александровa, В. Г. Мансуровa, К. С. Журавлевab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Исследована динамика рекомбинации носителей заряда в ансамбле квантовых точек GaN/AlN. Для ее описания предложена модель, учитывающая переход носителей заряда между квантовыми точками и дефектами в матрице. Cравнение экспериментальных и расчетных кривых затухания фотолюминесценции показало, что взаимодействие квантовых точек с дефектами приводит к замедлению затухания фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN.
Поступила в редакцию: 26.01.2016 Принята в печать: 02.02.2016
Образец цитирования:
И. А. Александров, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлев, “Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1059–1063; Semiconductors, 50:8 (2016), 1038–1042
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6386 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i8/p1059
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 8 |
|