Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1059–1063 (Mi phts6386)  

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами

И. А. Александровa, В. Г. Мансуровa, К. С. Журавлевab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация: Исследована динамика рекомбинации носителей заряда в ансамбле квантовых точек GaN/AlN. Для ее описания предложена модель, учитывающая переход носителей заряда между квантовыми точками и дефектами в матрице. Cравнение экспериментальных и расчетных кривых затухания фотолюминесценции показало, что взаимодействие квантовых точек с дефектами приводит к замедлению затухания фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN.
Поступила в редакцию: 26.01.2016
Принята в печать: 02.02.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 8, Pages 1038–1042
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616080042
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Александров, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлев, “Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1059–1063; Semiconductors, 50:8 (2016), 1038–1042
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleManZhu16}
\by И.~А.~Александров, В.~Г.~Мансуров, К.~С.~Журавлев
\paper Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 8
\pages 1059--1063
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6386}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368961}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 8
\pages 1038--1042
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616080042}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6386
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i8/p1059
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024