Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1055–1058 (Mi phts6385)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оперативный контроль полупроводниковых кристаллов InSe и GaSe методом ядерного квадрупольного резонанса

А. П. Самилаa, Г. И. Ластивкаa, В. А. Хандожкоb, З. Д. Ковалюкc

a Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
b Телерадиокомпания "НБМ", Киев, Украина
c Черновицкое отделение Института проблем материаловедения Национальной академии наук Украины, Черновцы, Украина
PDF полного текста (807 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Для определения качества полупроводникового монокристалла слоистой структуры применен метод ядерного квадрупольного резонанса с последовательным сканированием всего объема образца и оценкой совершенства кристалла по наблюдаемым спектрам. Предложенный способ приемлем для слитков InSe, GaSe, GaS, выращенных методом Бриджмена в вакуумированных ампулах, и может применяться неоднократно при последующих технологических процедурах без доступа оператора к материалу. Для обеспечения ограниченной зоны сканирования исследуемого образца и эффективного взаимодействия высокочастотного (ВЧ) поля с кристаллом возбуждение и прием сигнала ядерной спиновой индукции производятся приемно-передающей катушкой спектрометра ЯКР седлообразной формы.
Поступила в редакцию: 28.12.2015
Принята в печать: 01.02.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 8, Pages 1034–1037
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616080200
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Самила, Г. И. Ластивка, В. А. Хандожко, З. Д. Ковалюк, “Оперативный контроль полупроводниковых кристаллов InSe и GaSe методом ядерного квадрупольного резонанса”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1055–1058; Semiconductors, 50:8 (2016), 1034–1037
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SamLasKha16}
\by А.~П.~Самила, Г.~И.~Ластивка, В.~А.~Хандожко, З.~Д.~Ковалюк
\paper Оперативный контроль полупроводниковых кристаллов InSe и GaSe методом ядерного квадрупольного резонанса
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 8
\pages 1055--1058
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6385}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368960}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 8
\pages 1034--1037
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616080200}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6385
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i8/p1055
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024