|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 8, страницы 1030–1035
(Mi phts6381)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Электрические, оптические и фотолюминесцентные свойства пленок ZnO при термическом отжиге и обработке в водородной плазме
Х. А. Абдуллинa, М. Т. Габдуллинa, Л. В. Гриценкоb, Д. В. Исмаиловa, Ж. К. Калкозоваa, С. Е. Кумековb, Ж. О. Мукашb, А. Ю. Сазоновc, Е. И. Теруковd a Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа, Казну им. аль-Фараби, Алматы, Казахстан
b Казахский национальный технический университет им. К. И. Сатпаева, Алматы, Казахстан
c University of Waterloo, Waterloo, Canada
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы спектры фотолюминесценции и оптического поглощения, электрические свойства пленок ZnO, выращенных методом MOCVD и гидротермальным методом, при термических обработках и плазменной обработке в водородной атмосфере. Показано, что адсорбция кислорода на границах зерен, происходящая при отжиге в окислительной атмосфере, определяет электрические свойства пленок. Отжиг в вакууме улучшает электрические свойства образцов после деградации, вызванной отжигом на воздухе, обработка в водородной плазме пассивирует поверхностные состояния на границах зерен. Интенсивность собственной фотолюминесценции после плазменной обработки тем выше, чем больше количество кислорода, адсорбированного на поверхность зерен во время отжига на воздухе. Поверхностные состояния, включающие атомы водорода и кислорода, ответственны за появление интенсивной полосы собственной фотолюминесценции.
Поступила в редакцию: 18.01.2016 Принята в печать: 25.01.2016
Образец цитирования:
Х. А. Абдуллин, М. Т. Габдуллин, Л. В. Гриценко, Д. В. Исмаилов, Ж. К. Калкозова, С. Е. Кумеков, Ж. О. Мукаш, А. Ю. Сазонов, Е. И. Теруков, “Электрические, оптические и фотолюминесцентные свойства пленок ZnO при термическом отжиге и обработке в водородной плазме”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1030–1035; Semiconductors, 50:8 (2016), 1010–1014
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6381 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i8/p1030
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 22 |
|