Изучение примесной фотопроводимости в $p$-InSb с использованием эпитаксиальных $p^{+}$-контактов

В эпитаксиальных $p^{+}$-слоях InSb (концентрация дырок $p\approx$ 1 $\cdot$ 10$^{17}$–1.2 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-3}$), выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках из $p$-InSb, в спектральном диапазоне 5–12 мкм при 90 K проведены измерения коэффициента оптического поглощения $\alpha$ и примесной фотопроводимости (60 и 90 K) в структурах $p^{+}$–$p$-типа. Установлено, что в $p^{+}$-слоях $\alpha$ достигает значения 7000 см$^{-1}$ при $p\approx$ 2 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-1}$. Показано, что значение $\alpha\approx$ 1–3 см$^{-1}$, измеренное в подложках, завышено по сравнению с оценками ($\alpha\approx$ 0.1 см$^{-1}$), сделанными на основе сравнения данных по фотопроводимости. Объяснение различия состоит в том, что оптические переходы дырок, ответственные за фотопроводимость, маскируются переходами электронов в зону проводимости. Сечение фотоионизации для этих переходов не превышает 1 $\cdot$ 10$^{-15}$ см$^{2}$.