|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1225–1229
(Mi phts6366)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Диэлектрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS$_{4}$ в переменном электрическом поле
Ф. М. Мамедовa, Н. Н. Нифтиевb a Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, г. Баку
b Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Аннотация:
Приводятся результаты исследований частотных и температурных зависимостей диэлектрических потерь и мнимая часть диэлектрической проницаемости в монокристаллах FeGaInS$_{4}$ на переменном токе. Определены экспериментальные их значения. Установлено, что в монокристаллах FeGaInS$_{4}$ в области частот 10$^{4}$–10$^{6}$ Гц тангенс угла диэлектрических потерь и мнимой части диэлектрической проницаемости уменьшается обратно пропорционально частоте $(\operatorname{tg}\delta\sim1/\omega)$ и проводимость характеризуется зонно-прыжковым механизмом. В FeGaInS$_{4}$ рассчитано время релаксации и установлено, что в этом кристалле имеется механизм электронной поляризации, обусловленной тепловым движением.
Поступила в редакцию: 16.02.2016 Принята в печать: 24.02.2016
Образец цитирования:
Ф. М. Мамедов, Н. Н. Нифтиев, “Диэлектрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS$_{4}$ в переменном электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1225–1229; Semiconductors, 50:9 (2016), 1203–1207
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6366 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i9/p1225
|
|