Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1225–1229 (Mi phts6366)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Диэлектрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS$_{4}$ в переменном электрическом поле

Ф. М. Мамедовa, Н. Н. Нифтиевb

a Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, г. Баку
b Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Аннотация: Приводятся результаты исследований частотных и температурных зависимостей диэлектрических потерь и мнимая часть диэлектрической проницаемости в монокристаллах FeGaInS$_{4}$ на переменном токе. Определены экспериментальные их значения. Установлено, что в монокристаллах FeGaInS$_{4}$ в области частот 10$^{4}$–10$^{6}$ Гц тангенс угла диэлектрических потерь и мнимой части диэлектрической проницаемости уменьшается обратно пропорционально частоте $(\operatorname{tg}\delta\sim1/\omega)$ и проводимость характеризуется зонно-прыжковым механизмом. В FeGaInS$_{4}$ рассчитано время релаксации и установлено, что в этом кристалле имеется механизм электронной поляризации, обусловленной тепловым движением.
Поступила в редакцию: 16.02.2016
Принята в печать: 24.02.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 9, Pages 1203–1207
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616090165
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. М. Мамедов, Н. Н. Нифтиев, “Диэлектрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS$_{4}$ в переменном электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1225–1229; Semiconductors, 50:9 (2016), 1203–1207
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MamNif16}
\by Ф.~М.~Мамедов, Н.~Н.~Нифтиев
\paper Диэлектрические свойства слоистых монокристаллов FeGaInS$_{4}$ в переменном электрическом поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1225--1229
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6366}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368992}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1203--1207
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616090165}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6366
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i9/p1225
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024