Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1208–1212 (Mi phts6363)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм

А. Г. Гладышевa, И. И. Новиковab, Л. Я. Карачинскийab, Д. В. Денисовab, С. А. Блохинc, А. А. Блохинc, А. М. Надточийc, А. С. Курочкинb, А. Ю. Егоровab

a ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (144 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Проведены исследования оптических свойств упругонапряженных полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs / InGaAlAs, предназначенных для формирования активной области лазерных диодов, излучающих в спектральном диапазоне 1520–1580 нм. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP реализованы активные области с различной степенью рассогласования параметров кристаллической решетки слоев квантовых ям InGaAs относительно параметра кристаллической решетки подложки InP. Максимальное относительное несоответствие параметров кристаллической решетки слоев квантовых ям InGaAs составило +2%. Оптические свойства упругонапряженных гетероструктур InGaAlAs /InGaAs / InP исследованы методами фотолюминесценции в диапазоне температур от 20 до 140$^\circ$C и различной плотности мощности возбуждающего лазера. Исследование оптических свойств экспериментальных образцов InGaAlAs / InGaAs / InP подтверждает возможность применения разработанных упругонапряженных гетероструктур для реализации активных областей лазерных диодов с высокой температурной стабильностью.
Поступила в редакцию: 16.03.2016
Принята в печать: 23.03.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 9, Pages 1186–1190
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616090098
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, С. А. Блохин, А. А. Блохин, А. М. Надточий, А. С. Курочкин, А. Ю. Егоров, “Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1208–1212; Semiconductors, 50:9 (2016), 1186–1190
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GlaNovKar16}
\by А.~Г.~Гладышев, И.~И.~Новиков, Л.~Я.~Карачинский, Д.~В.~Денисов, С.~А.~Блохин, А.~А.~Блохин, А.~М.~Надточий, А.~С.~Курочкин, А.~Ю.~Егоров
\paper Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520--1580 нм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1208--1212
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6363}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368989}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1186--1190
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616090098}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6363
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i9/p1208
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024