|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1208–1212
(Mi phts6363)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм
А. Г. Гладышевa, И. И. Новиковab, Л. Я. Карачинскийab, Д. В. Денисовab, С. А. Блохинc, А. А. Блохинc, А. М. Надточийc, А. С. Курочкинb, А. Ю. Егоровab a ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Проведены исследования оптических свойств упругонапряженных полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs / InGaAlAs, предназначенных для формирования активной области лазерных диодов, излучающих в спектральном диапазоне 1520–1580 нм. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP реализованы активные области с различной степенью рассогласования параметров кристаллической решетки слоев квантовых ям InGaAs относительно параметра кристаллической решетки подложки InP. Максимальное относительное несоответствие параметров кристаллической решетки слоев квантовых ям InGaAs составило +2%. Оптические свойства упругонапряженных гетероструктур InGaAlAs /InGaAs / InP исследованы методами фотолюминесценции в диапазоне температур от 20 до 140$^\circ$C и различной плотности мощности возбуждающего лазера. Исследование оптических свойств экспериментальных образцов InGaAlAs / InGaAs / InP подтверждает возможность применения разработанных упругонапряженных гетероструктур для реализации активных областей лазерных диодов с высокой температурной стабильностью.
Поступила в редакцию: 16.03.2016 Принята в печать: 23.03.2016
Образец цитирования:
А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, С. А. Блохин, А. А. Блохин, А. М. Надточий, А. С. Курочкин, А. Ю. Егоров, “Оптические свойства квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1520–1580 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1208–1212; Semiconductors, 50:9 (2016), 1186–1190
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6363 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i9/p1208
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 28 |
|