|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1173–1177
(Mi phts6357)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Плазмон-фононное взаимодействие в спектрах инфракрасного отражения пленок Bi$_{2}$Se$_{3}$
Н. Н. Новиковаa, В. А. Яковлевa, И. В. Кучеренкоb a Институт спектроскопии РАН, Москва, г. Троицк
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация:
Представлены результыты исследования оптического отражения в далекой и средней инфракрасной области спектра. Измерен коэффициент отражения 5 пленок топологического изолятора Bi$_{2}$Se$_{3}$, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке (111)Si. Методом дисперсионного анализа для многослойной структуры определены характерные параметры фононов и плазмонов. Обнаружено, что плазменная частота в слое у границы раздела Si-пленка заметно превышает плазменную частоту в объеме пленки. Расчет функции потерь показывает, что плазмон-фононное взаимодействие играет важную роль в пленках Bi$_{2}$Se$_{3}$. Методом нарушенного полного внутреннего отражения определена частота поверхностной плазмон-фононной моды.
Поступила в редакцию: 16.02.2016 Принята в печать: 21.02.2016
Образец цитирования:
Н. Н. Новикова, В. А. Яковлев, И. В. Кучеренко, “Плазмон-фононное взаимодействие в спектрах инфракрасного отражения пленок Bi$_{2}$Se$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1173–1177; Semiconductors, 50:9 (2016), 1151–1155
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6357 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i9/p1173
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 27 | PDF полного текста: | 17 |
|