Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1167–1172 (Mi phts6356)  

Электронные свойства полупроводников

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов соединений In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Аннотация: На монокристаллах соединений In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$, полученных методами химических газотранспортных реакций и Бриджмена (вертикальный вариант), исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 20–300 K. По зарегистрированным спектрам определены ширины запрещенной зоны монокристаллов In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$ и построены их температурные зависимости. Установлено, что ширина запрещенной зоны в обоих соединениях с понижением температуры увеличивается. Проведен расчет температурных зависимостей. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.
Поступила в редакцию: 03.03.2016
Принята в печать: 10.03.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 9, Pages 1145–1150
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616090050
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Боднарь, “Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов соединений In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1167–1172; Semiconductors, 50:9 (2016), 1145–1150
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bon16}
\by И.~В.~Боднарь
\paper Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов соединений In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1167--1172
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6356}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368982}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1145--1150
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616090050}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6356
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i9/p1167
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:132
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024