|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1167–1172
(Mi phts6356)
|
|
|
|
Электронные свойства полупроводников
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов соединений In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$
И. В. Боднарь Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Аннотация:
На монокристаллах соединений In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$, полученных методами химических газотранспортных реакций и Бриджмена (вертикальный вариант), исследованы спектры пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 20–300 K. По зарегистрированным спектрам определены ширины запрещенной зоны монокристаллов In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$ и построены их температурные зависимости. Установлено, что ширина запрещенной зоны в обоих соединениях с понижением температуры увеличивается. Проведен расчет температурных зависимостей. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.
Поступила в редакцию: 03.03.2016 Принята в печать: 10.03.2016
Образец цитирования:
И. В. Боднарь, “Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов соединений In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1167–1172; Semiconductors, 50:9 (2016), 1145–1150
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6356 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i9/p1167
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 103 |
|