|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1153–1158
(Mi phts6353)
|
|
|
|
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Диффузия галогенов на Ga-стабилизированной $\zeta$-GaAs(001)–(4 $\times$ 2) поверхности
А. В. Бакулинab, С. Е. Кульковаab a Национальный исследовательский Томский государственный университет
b Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
Аннотация:
Методом проекционных присоединенных волн в плосковолновом базисе проведен расчет атомной и электронной структуры Ga-стабилизированной поверхности GaAs(001) с реконструкцией $\zeta$ (4 $\times$ 2) и галогенами в ряде симметричных позиций на поверхности. Рассчитаны энергетические барьеры диффузии атомов галогенов на данной поверхности, что позволило определить наиболее предпочтительные пути их миграции. Показано, что для всех рассмотренных галогенов (I, Br, Cl, F) имеется низкий барьер (0.17–0.23 эВ) для их диффузии вдоль поверхностного галлиевого димера, тогда как значение барьера существенно выше для диффузии между смежными галлиевыми димерами. В целом полученные значения энергетических барьеров для диффузии галогенов в обоих направлениях ([110] и [1–10]) указывают на их высокую поверхностную мобильность, несмотря на большие значения энергий связи в ряде позиций адсорбции на поверхности.
Поступила в редакцию: 09.02.2016 Принята в печать: 14.03.2016
Образец цитирования:
А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, “Диффузия галогенов на Ga-стабилизированной $\zeta$-GaAs(001)–(4 $\times$ 2) поверхности”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1153–1158; Semiconductors, 50:9 (2016), 1131–1136
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6353 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i9/p1153
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 21 | PDF полного текста: | 7 |
|