|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1374–1379
(Mi phts6342)
|
|
|
|
Физика полупроводниковых приборов
Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)
В. М. Андреев, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Д. Румянцев, А. В. Чекалин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Целью настоящей работы является исследование основных фотоэлектрических характеристик трехкаскадных фотоэлектрических преобразователей InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C). Благодаря анализу спектров фоточувствительности и световых вольт-амперных характеристик определены зависимости от температуры таких величин, как напряжение холостого хода (V$_{\operatorname{oc}}$), фактор заполнения вольт-амперной характеристики (FF) и эффективность фотоэлектрического преобразования солнечного излучения. Исследования проводились при интенсивностях засветки, соответствующих работе при концентрированном облучении. Пониженные температуры способствовали отбору образцов с минимальными “паразитными” потенциальными барьерами. Оценено влияние процессов переноса возбуждения из каскада в каскад с помощью вторичного люминесцентного излучения. Наивысшая эффективность фотоэлектрического преобразования 52% была измерена при кратности концентрирования 100 “солнц” и температуре -160$^\circ$C.
Поступила в редакцию: 28.03.2016 Принята в печать: 04.04.2016
Образец цитирования:
В. М. Андреев, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Д. Румянцев, А. В. Чекалин, “Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1374–1379; Semiconductors, 50:10 (2016), 1356–1361
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6342 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1374
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 7 |
|