|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1370–1373
(Mi phts6341)
|
|
|
|
Физика полупроводниковых приборов
Механизм выключения микроплазм при лавинном пробое $p$–$n$-структур кремния
А. М. Мусаев Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия
Аннотация:
Исследован возможный механизм выключения естественных микроплазм в кремниевых $p$–$n$-переходах. Показано, что эффект выключения не является случайным процессом, а имеет в основе определенный физический механизм. Механизм связан с формированием на концах канала микроплазменного пробоя варизонных областей, обусловленных термоупругими напряжениями, и перераспределением электрического поля в области месторасположения микроплазм.
Поступила в редакцию: 31.03.2016 Принята в печать: 04.04.2016
Образец цитирования:
А. М. Мусаев, “Механизм выключения микроплазм при лавинном пробое $p$–$n$-структур кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1370–1373; Semiconductors, 50:10 (2016), 1352–1355
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6341 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1370
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 10 |
|