Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1370–1373 (Mi phts6341)  

Физика полупроводниковых приборов

Механизм выключения микроплазм при лавинном пробое $p$$n$-структур кремния

А. М. Мусаев

Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия
Аннотация: Исследован возможный механизм выключения естественных микроплазм в кремниевых $p$$n$-переходах. Показано, что эффект выключения не является случайным процессом, а имеет в основе определенный физический механизм. Механизм связан с формированием на концах канала микроплазменного пробоя варизонных областей, обусловленных термоупругими напряжениями, и перераспределением электрического поля в области месторасположения микроплазм.
Поступила в редакцию: 31.03.2016
Принята в печать: 04.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 10, Pages 1352–1355
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616100171
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Мусаев, “Механизм выключения микроплазм при лавинном пробое $p$$n$-структур кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1370–1373; Semiconductors, 50:10 (2016), 1352–1355
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Mus16}
\by А.~М.~Мусаев
\paper Механизм выключения микроплазм при лавинном пробое $p$--$n$-структур кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1370--1373
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6341}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369015}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1352--1355
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616100171}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6341
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1370
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024