|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1363–1369
(Mi phts6340)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика полупроводниковых приборов
Влияние химического состава слоев Cu–In–Ga–Se на фотопроводимость и эффективность конверсии солнечных элементов CdS/CIGSe
Г. Ф. Новиковa, Wei-Tao Tsaib, К. В. Бочаровa, Е. В. Рабенокa, Ming-Jer Jengb, Liann-Be Changb, Wu-Shiung Fenga, Jian-Ping Aoc, Yun Sunc a Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
b Department of Electronic Engineering, Chang Gung University,
Taoyuan, Taiwan
c Institute of Photoelectronic Thin Film Device and Technology, Nankai University, Tianjin, PR China
Аннотация:
Проведено исследование влияния соотношения галлия и индия [Ga]/[In+Ga] на микроволновую фотопроводимость пленок Cu–In–Ga–Se (CIGSe) и на эффективность солнечных элементов, изготовленных по идентичной технологии. По наблюдениям полевой эмиссионной электронной микроскопии (FESEM) размер зерна уменьшался с увеличением содержания Ga. Также с увеличением содержания галлия в образцах уменьшалось время жизни фотогенерированного электрона и энергия активации микроволновой фотопроводимости. Изменения энергии активации сквозной проводимости в темноте были $<$20%. Анализ полученных данных показал, что известный эффект влияния градиента галлия на кпд следует связывать с модификацией внутренней структуры зерен, а не с их границами.
Поступила в редакцию: 21.03.2016 Принята в печать: 28.03.2016
Образец цитирования:
Г. Ф. Новиков, Wei-Tao Tsai, К. В. Бочаров, Е. В. Рабенок, Ming-Jer Jeng, Liann-Be Chang, Wu-Shiung Feng, Jian-Ping Ao, Yun Sun, “Влияние химического состава слоев Cu–In–Ga–Se на фотопроводимость и эффективность конверсии солнечных элементов CdS/CIGSe”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1363–1369; Semiconductors, 50:10 (2016), 1344–1351
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6340 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1363
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 26 | PDF полного текста: | 9 |
|