Влияние химического состава слоев Cu–In–Ga–Se на фотопроводимость и эффективность конверсии солнечных элементов CdS/CIGSe

Проведено исследование влияния соотношения галлия и индия [Ga]/[In+Ga] на микроволновую фотопроводимость пленок Cu–In–Ga–Se (CIGSe) и на эффективность солнечных элементов, изготовленных по идентичной технологии. По наблюдениям полевой эмиссионной электронной микроскопии (FESEM) размер зерна уменьшался с увеличением содержания Ga. Также с увеличением содержания галлия в образцах уменьшалось время жизни фотогенерированного электрона и энергия активации микроволновой фотопроводимости. Изменения энергии активации сквозной проводимости в темноте были $<$20%. Анализ полученных данных показал, что известный эффект влияния градиента галлия на кпд следует связывать с модификацией внутренней структуры зерен, а не с их границами.