Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1303–1308 (Mi phts6330)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Электронные свойства полупроводников

First-principles calculations of the electronic and structural properties of GaSb

E.-E. Castaño-Gonzáleza, N. Señab, V. Mendoza-Estradaa, R. González-Hernándeza, A. Dussanb, F. Mesac

a Grupo de Investigación en Física Aplicada, Departamento de Física, Universidad del Norte, Barranquilla-Colombia
b Departamento de Física, Grupo de Materiales Nanoestructurados y sus Aplicaciones, Universidad Nacional de Colombia-Colombia, Bogotá-Colombia
c Grupo NanoTech, Facultad de Ciencias Naturales y Matemáticas, Universidad del Rosario, Bogotá-Colombia
Аннотация: In this paper, we carried out first-principles calculations in order to investigate the structural and electronic properties of the binary compound gallium antimonide (GaSb). This theoretical study was carried out using the Density Functional Theory within the plane-wave pseudopotential method. The effects of exchange and correlation (XC) were treated using the functional Local Density Approximation (LDA), generalized gradient approximation (GGA): Perdew–Burke–Ernzerhof (PBE), Perdew–Burke–Ernzerhof revised for solids (PBEsol), Perdew–Wang 91 (PW91), revised Perdew–Burke–Ernzerhof (rPBE), Armiento–Mattson 2005 (AM05) and meta-generalized gradient approximation (meta-GGA): Tao–Perdew–Staroverov–Scuseria (TPSS) and revised Tao–Perdew–Staroverov–Scuseria (RTPSS) and modified Becke–Johnson (MBJ). We calculated the densities of state (DOS) and band structure with different XC potentials identified and compared them with the theoretical and experimental results reported in the literature. It was discovered that functional: LDA, PBEsol, AM05 and RTPSS provide the best results to calculate the lattice parameters (a) and bulk modulus ($B_{0}$); while for the cohesive energy ($E_{\operatorname{coh}}$), functional: AM05, RTPSS and PW91 are closer to the values obtained experimentally. The MBJ, Rtpss and AM05 values found for the band gap energy is slightly underestimated with those values reported experimentally.
Поступила в редакцию: 03.02.2016
Принята в печать: 01.03.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 10, Pages 1280–1286
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616100110
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: E.-E. Castaño-González, N. Seña, V. Mendoza-Estrada, R. González-Hernández, A. Dussan, F. Mesa, “First-principles calculations of the electronic and structural properties of GaSb”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1303–1308; Semiconductors, 50:10 (2016), 1280–1286
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CasSenMen16}
\by E.-E.~Casta\~no-Gonz\'alez, N.~Se\~na, V.~Mendoza-Estrada, R.~Gonz\'alez-Hern\'andez, A.~Dussan, F.~Mesa
\paper First-principles calculations of the electronic and structural properties of GaSb
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1303--1308
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6330}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369004}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1280--1286
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616100110}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6330
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1303
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025