Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1576–1582 (Mi phts6328)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки

Н. В. Байдусьab, В. А. Кукушкинac, Б. Н. Звонковb, С. М. Некоркинb

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
c Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: В результате теоретического и экспериментального анализа найдены параметры гетероструктур с квантовыми точками InAs в матрице GaAs, обеспечивающие создание на таких структурах быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки для ближней инфракрасной области. Квантовые точки должны располагаться на сильно легированном (вплоть до концентрации легирующей примеси 10$^{19}$ см$^{-3}$) буферном слое GaAs и отделяться от металла тонким (толщиной 10–30 нм) нелегированным покровным слоем GaAs. Граница раздела металла (например, золота) с GaAs обеспечит эффективное рассеяние поверхностных плазмон-поляритонов в обычные фотоны в случае, если она имеет неоднородности в виде заполненных металлом впадин в GaAs с характерным размером $\sim$30 нм и поверхностной концентрацией, превышающей 10$^{10}$ см$^{-2}$.
Поступила в редакцию: 26.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 11, Pages 1554–1560
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616110026
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Байдусь, В. А. Кукушкин, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, “Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1576–1582; Semiconductors, 50:11 (2016), 1554–1560
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BaiKukZvo16}
\by Н.~В.~Байдусь, В.~А.~Кукушкин, Б.~Н.~Звонков, С.~М.~Некоркин
\paper Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1576--1582
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6328}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369052}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1554--1560
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616110026}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6328
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1576
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024