|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1570–1575
(Mi phts6327)
|
|
|
|
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям
В. П. Мартовицкийa, Ю. Г. Садофьевab, А. В. Клековкинa, В. В. Сарайкинc, И. С. Васильевскийb a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Национальный исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Зеленоград, Москва, Россия
Аннотация:
На виртуальной подложке (001) Si/Ge была выращена структура, состоящая из пяти упругонапряженных метастабильных слоев GeSn толщиной 200 нм каждый, разделенных прослойками из германия толщиной 20 нм. Мольная доля олова в слоях GeSn имела следующие значения: 0.005, 0.034, 0.047, 0.072 и 0.10. После роста структура подвергалась термическому отжигу в течение 2 мин при температуре 400$^\circ$C. Показано, что в процессе отжига наряду с пластической релаксацией происходит фазовый распад сплава GeSn, который начинается еще до завершения процесса пластической релаксации. Структурная деградация слоев GeSn возрастала с ростом концентрации олова, которая накапливалась на поверхности структуры в виде аморфного слоя.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
В. П. Мартовицкий, Ю. Г. Садофьев, А. В. Клековкин, В. В. Сарайкин, И. С. Васильевский, “Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1570–1575; Semiconductors, 50:11 (2016), 1548–1553
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6327 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1570
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 30 | PDF полного текста: | 10 |
|