|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1554–1560
(Mi phts6324)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe
Л. С. Бовкунa, С. С. Криштопенкоab, А. В. Иконниковac, В. Я. Алешкинac, А. М. Кадыковab, S. Ruffenachb, C. Consejob, F. Teppeb, W. Knapb, M. Orlitad, B. Piotd, M. Potemskid, Н. Н. Михайловec, С. А. Дворецкийe, В. И. Гавриленкоca a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221, Montpellier, France
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
d Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, CNRS-UJF-UPS-INSA, Grenoble, France
e Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Исследованы спектры магнитопоглощения в двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe с нормальным и инвертированным зонным спектром. На основе модели Кейна 8 $\cdot$ 8 рассчитаны уровни Ландау в симметричных квантовых ямах с прямоугольным профилем потенциала. Показано, что наличие туннельно-прозрачного барьера приводит к расщеплению состояний и “удвоению” основных линий магнитопоглощения. При ширине ям, близкой к критической, для структуры с одиночной квантовой ямой показаны наличие инверсии зон и возникновение бесщелевой зонной структуры, как в двухслойном графене. Обнаружен сдвиг линий магнитопоглощения при изменении концентрации носителей за счет эффекта остаточной фотопроводимости, связываемый с изменением профиля потенциала при перезарядке ловушек, что открывает возможность управления топологическими фазовыми переходами в таких структурах.
Поступила в редакцию: 18.05.2016 Принята в печать: 23.05.2016
Образец цитирования:
Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, M. Orlita, B. Piot, M. Potemski, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1554–1560; Semiconductors, 50:11 (2016), 1532–1538
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6324 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1554
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 42 | PDF полного текста: | 12 |
|