Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике

Исследованы кристаллическая структура, состав, магнитные и электротранспортные свойств слоев Mn$_{x}$Ga$_{y}$, осажденных на поверхность GaAs методами импульсного лазерного осаждения в потоке водорода, импульсного лазерного осаждения в вакууме и электронно-лучевого испарения в высоком вакууме. Показано, что особенности каждого из методов оказывают влияние на состав и кристаллическую структуру формируемых слоев, на степень резкости и кристаллического совершенства гетерограницы. Состав и кристаллическая структура, предположительно, обусловливают модификацию ферромагнитных свойств. Дефекты гетерограницы оказывают влияние на свойства диодной структуры Mn$_{x}$Ga$_{y}$/GaAs, в частности на высоту потенциального барьера диода Шоттки.