Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1445–1450 (Mi phts6304)  
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Модуляция межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях

Р. М. Балагула, М. Я. Винниченко, И. С. Махов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (403 kB) Список цитирования (10)
Аннотация: Представлены результаты исследования влияния продольного электрического поля на спектры поглощения излучения среднего инфракрасного диапазона и на спектры межзонной фотолюминесценции в двойных туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Полученные результаты объясняются перераспределением горячих электронов между ямами и изменением объемного заряда в структуре. Из анализа спектров модуляции межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в сильных продольных электрических полях определена температура горячих носителей заряда.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 11, Pages 1425–1430
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261611004X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. М. Балагула, М. Я. Винниченко, И. С. Махов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, “Модуляция межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1445–1450; Semiconductors, 50:11 (2016), 1425–1430
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BalVinMak16}
\by Р.~М.~Балагула, М.~Я.~Винниченко, И.~С.~Махов, Д.~А.~Фирсов, Л.~Е.~Воробьев
\paper Модуляция межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1445--1450
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6304}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369028}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 11
\pages 1425--1430
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261611004X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6304
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1445
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024