Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1720–1724 (Mi phts6300)  
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами

В. Я. Алешкинab, Л. В. Гавриленкоab, Д. М. Гапоноваab, З. Ф. Красильникab, Д. И. Крыжковab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (328 kB)
Аннотация: В гетероструктурах AlGaAs/GaAs методом спектроскопии возбуждения фотолюминесценции исследовались процессы, связанные с переносом экситонных возбуждений между туннельно-несвязанными квантовыми ямами и изменением встроенного электрического поля. Наблюдалось изменение интенсивности сигнала низкотемпературной фотолюминесценции (при 4.2 K) из более широкой квантовой ямы при совпадении кванта энергии лазера накачки с энергией экситонного перехода в узкой яме. Изменение положения максимума и интенсивности фотолюминисценции из более широкой квантовой ямы при возбуждении вблизи экситонных резонансов в узкой квантовой яме объясняется влиянием квантово-размерного эффекта Штарка на процесс экситонной рекомбинации.
Поступила в редакцию: 09.06.2016
Принята в печать: 16.06.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1691–1695
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120034
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, “Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1720–1724; Semiconductors, 50:12 (2016), 1691–1695
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleGavGap16}
\by В.~Я.~Алешкин, Л.~В.~Гавриленко, Д.~М.~Гапонова, З.~Ф.~Красильник, Д.~И.~Крыжков
\paper Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1720--1724
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6300}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369080}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1691--1695
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616120034}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6300
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1720
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024