Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1701–1705 (Mi phts6297)  
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии

К. А. Ковалевскийa, Р. Х. Жукавинa, В. В. Цыпленковa, С. Г. Павловb, Г.-В. Хьюберсbc, Н. В. Абросимовd, В. Н. Шастинa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Берлинский университет им. Гумбольдта, Берлин
c Институт оптических сенсорных систем DLR, Берлин
d Институт роста кристаллов, Берлин
PDF полного текста (852 kB)
Аннотация: Приводятся результаты экспериментального исследования поляризации терагерцового (4.9–6.4 ТГц) стимулированного излучения доноров V группы (Sb, P, As, Bi) в монокристаллическом кремнии при их накачке (фотоионизации) излучением CO$_{2}$-лазера (энергия кванта 117 мэВ) в зависимости от величины одноосной деформации сжатия кристалла по оси [100]. Также обсуждается влияние направления поля волны накачки на ее эффективность.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1673–1677
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120101
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1701–1705; Semiconductors, 50:12 (2016), 1673–1677
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KovZhuTsy16}
\by К.~А.~Ковалевский, Р.~Х.~Жукавин, В.~В.~Цыпленков, С.~Г.~Павлов, Г.-В.~Хьюберс, Н.~В.~Абросимов, В.~Н.~Шастин
\paper Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1701--1705
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6297}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369077}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1673--1677
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616120101}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6297
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1701
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024