Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1690–1696 (Mi phts6295)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами

Д. В. Козловab, В. В. Румянцевab, С. В. Морозовab, А. М. Кадыковac, М. А. Фадеевab, В. С. Варавинd, Н. Н. Михайловde, С. А. Дворецкийd, В. И. Гавриленкоba, F. Teppec

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Laboratoire Charles Coulomb, Universite Montpellier II, Montpellier, France
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
e Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (163 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: В спектрах фотопроводимости структур HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (КРТ) с квантовыми ямами обнаружена длинноволновая полоса, образованная переходами между состояниями, связанными с валентной зоной. Был проведен расчет с учетом химического сдвига спектра энергетических состояний вакансий ртути в квантовых ямах КРТ структур. Показано, что наблюдаемая в спектрах фотопроводимости этих структур длинноволновая полоса связана с ионизацией двухвалентных акцепторных центров, которыми являются такие вакансии.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1662–1668
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120113
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1690–1696; Semiconductors, 50:12 (2016), 1662–1668
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KozRumMor16}
\by Д.~В.~Козлов, В.~В.~Румянцев, С.~В.~Морозов, А.~М.~Кадыков, М.~А.~Фадеев, В.~С.~Варавин, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, В.~И.~Гавриленко, F.~Teppe
\paper Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1690--1696
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6295}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369075}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1662--1668
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616120113}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6295
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1690
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:23
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024