|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1690–1696
(Mi phts6295)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами
Д. В. Козловab, В. В. Румянцевab, С. В. Морозовab, А. М. Кадыковac, М. А. Фадеевab, В. С. Варавинd, Н. Н. Михайловde, С. А. Дворецкийd, В. И. Гавриленкоba, F. Teppec a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Laboratoire Charles Coulomb, Universite Montpellier II, Montpellier, France
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
e Новосибирский государственный университет
Аннотация:
В спектрах фотопроводимости структур HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (КРТ) с квантовыми ямами обнаружена длинноволновая полоса, образованная переходами между состояниями, связанными с валентной зоной. Был проведен расчет с учетом химического сдвига спектра энергетических состояний вакансий ртути в квантовых ямах КРТ структур. Показано, что наблюдаемая в спектрах фотопроводимости этих структур длинноволновая полоса связана с ионизацией двухвалентных акцепторных центров, которыми являются такие вакансии.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1690–1696; Semiconductors, 50:12 (2016), 1662–1668
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6295 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1690
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 23 | PDF полного текста: | 5 |
|