|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1679–1684
(Mi phts6293)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
В. В. Румянцевab, М. А. Фадеевab, С. В. Морозовab, А. А. Дубиновab, К. Е. Кудрявцевab, А. М. Кадыковac, И. В. Тузовb, С. А. Дворецкийd, Н. Н. Михайловde, В. И. Гавриленкоba, F. Teppec a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Laboratoire Charles Coulomb, Universite Montpellier II, Montpellier, France
d Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск
e Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Проведены исследования межзонной фотопроводимости и фотолюминесценции в узкозонных волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe, дизайн которых предназначен для получения длинноволнового стимулированного излучения в условиях оптической накачки. В структурах $n$-типа времена релаксации фотопроводимости достигают нескольких микросекунд, что позволяет наблюдать стимулированное излучение на длине волны 10.2 мкм с низкой пороговой интенсивностью накачки $\sim$100 Вт/см$^{2}$ при 20 K. В структурах $p$-типа, полученных отжигом для увеличения концентрации вакансий ртути, из-за резкого уменьшения времени жизни относительно безызлучательной рекомбинации Шокли–Рида–Холла не удается наблюдать даже спонтанное излучение из квантовых ям.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, А. М. Кадыков, И. В. Тузов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1679–1684; Semiconductors, 50:12 (2016), 1651–1656
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6293 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1679
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 7 |
|