|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1634–1638
(Mi phts6284)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Когерентность конденсата поляритонов в планарных микрорезонаторах в магнитном поле
А. В. Черненкоa, А. Рахими-Иманbc, Ю. Фишерb, М. Амторb, К. Шнайдерb, С. Райзенштайнbd, А. Форхелb, С. Хёфлингb a Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
b Technische Physik, Physikalisches Institut and Wilhelm Conrad
Röntgen Research Center for Complex Material Systems, Universitat Würzburg, Würzburg, Germany
c Department of Physics and Materials Sciences Center,
Philipps-Universität Marburg, Marburg, Germany
d Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Berlin, Germany
Аннотация:
В планарных GaAs-микрорезонаторах в магнитном поле до 5 Тл, перпендикулярном плоскости роста структур, в условиях резонансной импульсной накачки в точку, близкую к точке перегиба нижней дисперсионной кривой, наблюдается зеемановское расщепление спиновых подуровней конденсата поляритонов. Оно сопровождается значительным изменением степени циркулярной поляризации и коррелятора 2-го порядка $g^{2}$(0). Оказалось, что коррелятор отличается для расщепленных в магнитном поле спиновых подуровней поляритонного конденсата. В частности, измерения коррелятора свидетельствуют о различии в порогах конденсации для спиновых подуровней. Изначально отличающиеся в отсутствие поля значения коррелятора растут, достигая максимального значения, а затем уменьшаются и сравниваются между собой для разных поляризаций в поле 5 Тл.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
А. В. Черненко, А. Рахими-Иман, Ю. Фишер, М. Амтор, К. Шнайдер, С. Райзенштайн, А. Форхел, С. Хёфлинг, “Когерентность конденсата поляритонов в планарных микрорезонаторах в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1634–1638; Semiconductors, 50:12 (2016), 1609–1613
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6284 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1634
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 10 |
|