Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1592–1594 (Mi phts6275)  
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах

Н. В. Сибиревab, А. А. Корякинbc, В. Г. Дубровскийbcde

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский государственный университет
PDF полного текста (91 kB)
Аннотация: Рассматривается процесс образования осевых гетероструктур в нитевидных нанокристаллах на основе модели роста по механизму пар–жидкость–кристалл. Предложен новый способ формирования гетеропереходов в (Аl,Ga)As нитевидных нанокристаллах, с помощью изменения потока мышьяка.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1566–1568
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120198
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Сибирев, А. А. Корякин, В. Г. Дубровский, “Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1592–1594; Semiconductors, 50:12 (2016), 1566–1568
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SibKorDub16}
\by Н.~В.~Сибирев, А.~А.~Корякин, В.~Г.~Дубровский
\paper Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1592--1594
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6275}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369055}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1566--1568
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616120198}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6275
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1592
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024