Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 124–132
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.44007.8342 (Mi phts6269) 		 
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости

П. В. Серединa, А. С. Леньшинa, И. Н. Арсентьевb, А. В. Жаботинскийb, Д. Н. Николаевb, И. С. Тарасовb, В. В. Шамаховb, Tatiana Prutskijc, Harald Leisted, Monika Rinked

a Воронежский государственный университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Instituto de Ciencias, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Mexico
d Karlsruhe Nano Micro Facility, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
PDF полного текста (821 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.44007.8342
Аннотация: На основе методов высокоразрешающей рентгеновской дифракции, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии исследованы структурные, оптические и энергетические свойства эпитаксиальных гетероструктур Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg/GaAs(100) с различной степенью легирования магнием. Показано, что подбором технологических условий в твердом растворе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg может быть достигнут не только различный тип проводимости, но и существенно различная концентрация носителей заряда в эпитаксиальной пленке.
Поступила в редакцию: 02.06.2016
Принята в печать: 14.06.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 1, Pages 122–130
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617010213
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Середин, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 124–132; Semiconductors, 51:1 (2017), 122–130
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SerLenArs17}
\by П.~В.~Середин, А.~С.~Леньшин, И.~Н.~Арсентьев, А.~В.~Жаботинский, Д.~Н.~Николаев, И.~С.~Тарасов, В.~В.~Шамахов, Tatiana~Prutskij, Harald~Leiste, Monika~Rinke
\paper Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 124--132
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6269}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.44007.8342}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28969417}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 122--130
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617010213}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6269
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p124
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024