Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 75–78
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43999.8258 (Mi phts6261) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Влияние “объема” активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку

С. М. Некоркинa, Б. Н. Звонковa, Н. В. Байдусьa, Н. В. Дикареваa, О. В. Вихроваa, А. А. Афоненкоb, Д. В. Ушаковb

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Белорусский государственный университет, г. Минск
PDF полного текста (227 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43999.8258
Аннотация: Исследованы излучательные свойства лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP с вытеканием излучения через подложку в зависимости от числа квантовых ям в активной области и лазерных диодов на их основе. Установлено, что наличие 6–8 квантовых ям в активной области является оптимальным с точки зрения наблюдаемых значений порогового тока и выходной оптической мощности лазеров.
Поступила в редакцию: 05.04.2016
Принята в печать: 12.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 1, Pages 73–77
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617010158
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, Н. В. Дикарева, О. В. Вихрова, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, “Влияние “объема” активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 75–78; Semiconductors, 51:1 (2017), 73–77
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NekZvoBai17}
\by С.~М.~Некоркин, Б.~Н.~Звонков, Н.~В.~Байдусь, Н.~В.~Дикарева, О.~В.~Вихрова, А.~А.~Афоненко, Д.~В.~Ушаков
\paper Влияние ``объема'' активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 75--78
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6261}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43999.8258}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28969409}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 73--77
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617010158}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6261
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p75
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024