Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 68–74
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43998.8223
(Mi phts6260)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Оптимизация параметров источников питания, возбуждаемых $\beta$-излучением

С. В. Булярскийa, А. В. Лакалинa, И. Е. Абанинb, В. В. Амеличевb, В. В. Светухинc

a Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия
b НПК "Технологический Центр" МИЭТ, Москва, Россия
c Ульяновский государственный университет
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований и расчетов эффективности преобразования энергии источников $\beta$-излучения Ni-63 в электрическую с помощью кремниевых $p$$i$$n$-диодов. Все вычисления выполнены с учетом распределения $\beta$-электронов по энергиям. Получено выражение для напряжения холостого хода преобразователя с учетом распределения электронов высоких энергий в области пространственного заряда $p$$i$$n$-диода. Показаны пути оптимизации параметров преобразователя за счет совершенствования технологии изготовления диодов, оптимизации толщины активного слоя излучателя и $i$-области полупроводникового преобразователя. Вычислено распределение потерь на преобразование источника и приемника излучения, а также потерь при входе электронов высоких энергий в полупроводник. Экспериментальные значения эффективности преобразования 0.4–0.7% хорошо согласуются с расчетными параметрами.
Поступила в редакцию: 29.02.2016
Принята в печать: 25.03.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 1, Pages 66–72
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617010055
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Булярский, А. В. Лакалин, И. Е. Абанин, В. В. Амеличев, В. В. Светухин, “Оптимизация параметров источников питания, возбуждаемых $\beta$-излучением”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 68–74; Semiconductors, 51:1 (2017), 66–72
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BulLakAba17}
\by С.~В.~Булярский, А.~В.~Лакалин, И.~Е.~Абанин, В.~В.~Амеличев, В.~В.~Светухин
\paper Оптимизация параметров источников питания, возбуждаемых $\beta$-излучением
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 68--74
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6260}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43998.8223}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28969408}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 66--72
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617010055}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6260
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p68
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024