|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Оптимизация параметров источников питания, возбуждаемых $\beta$-излучением
С. В. Булярскийa, А. В. Лакалинa, И. Е. Абанинb, В. В. Амеличевb, В. В. Светухинc a Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия
b НПК "Технологический Центр" МИЭТ, Москва, Россия
c Ульяновский государственный университет
Аннотация:
Представлены результаты экспериментальных исследований и расчетов эффективности преобразования энергии источников $\beta$-излучения Ni-63 в электрическую с помощью кремниевых $p$–$i$–$n$-диодов. Все вычисления выполнены с учетом распределения $\beta$-электронов по энергиям. Получено выражение для напряжения холостого хода преобразователя с учетом распределения электронов высоких энергий в области пространственного заряда $p$–$i$–$n$-диода. Показаны пути оптимизации параметров преобразователя за счет совершенствования технологии изготовления диодов, оптимизации толщины активного слоя излучателя и $i$-области полупроводникового преобразователя. Вычислено распределение потерь на преобразование источника и приемника излучения, а также потерь при входе электронов высоких энергий в полупроводник. Экспериментальные значения эффективности преобразования 0.4–0.7% хорошо согласуются с расчетными параметрами.
Поступила в редакцию: 29.02.2016 Принята в печать: 25.03.2016
Образец цитирования:
С. В. Булярский, А. В. Лакалин, И. Е. Абанин, В. В. Амеличев, В. В. Светухин, “Оптимизация параметров источников питания, возбуждаемых $\beta$-излучением”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 68–74; Semiconductors, 51:1 (2017), 66–72
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6260 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p68
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 56 | PDF полного текста: | 16 |
|