Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 63–67
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43997.8356 (Mi phts6259) 		 
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Получение гетероструктурных оксидных композиций для перспективных солнечных элементов нового поколения

А. А. Бобков, Н. А. Лашкова, А. И. Максимов, В. А. Мошников, С. С. Налимова

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (1238 kB) Список цитирования (9)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43997.8356
Аннотация: Рассматриваются перспективы создания солнечных элементов на основе оксидов металлов с объемным гетеропереходом, при этом ZnO был сформирован методом гидротермального синтеза. Представлены результаты синтеза наностержней оксида цинка на различных затравочных слоях. Отмечена значительная роль операции формирования зародышевого слоя. Показана возможность управления структурой массивов наностержней посредством использования поверхностно-активного вещества. Полученные ограненные наностержни перспективны для получения солнечных элементов нового поколения.
Поступила в редакцию: 21.06.2016
Принята в печать: 29.06.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 1, Pages 61–65
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617010031
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Бобков, Н. А. Лашкова, А. И. Максимов, В. А. Мошников, С. С. Налимова, “Получение гетероструктурных оксидных композиций для перспективных солнечных элементов нового поколения”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 63–67; Semiconductors, 51:1 (2017), 61–65
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BobLasMax17}
\by А.~А.~Бобков, Н.~А.~Лашкова, А.~И.~Максимов, В.~А.~Мошников, С.~С.~Налимова
\paper Получение гетероструктурных оксидных композиций для перспективных солнечных элементов нового поколения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 63--67
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6259}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43997.8356}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28969407}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 61--65
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617010031}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6259
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p63
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024