|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Атомная и электронная структура поверхности CdTe (111)$B$–(2$\sqrt3\times4$) орт.
В. Л. Бекенев, С. М. Зубкова Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев
Аннотация:
Впервые проведены ab initio расчеты атомной и электронной структуры четырех вариантов полярной поверхности CdTe (111)$B$–(2$\sqrt3\times4$) орт., заканчивающейся Te: идеальной, релаксированной, реконструированной и реконструированной с последующей релаксацией. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировали пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком $\sim$16 $\mathring{\mathrm{A}}$. Для замыкания оборванных связей Cd на противоположной стороне пленки добавляли 24 фиктивных атома водорода с зарядом 1.5 электрона каждый. Ab initio pасчеты проводили с использованием программы Quantum Espresso, основанной на теории функционала плотности. Показано, что релаксация приводит к расщеплению верхних четырех слоев. Для четырех вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полные и послойные плотности электронных состояний.
Поступила в редакцию: 01.03.2016 Принята в печать: 29.03.2016
Образец цитирования:
В. Л. Бекенев, С. М. Зубкова, “Атомная и электронная структура поверхности CdTe (111)$B$–(2$\sqrt3\times4$) орт.”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 26–35; Semiconductors, 51:1 (2017), 23–33
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6253 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p26
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 21 |
|