Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 26–35
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43991.8226
(Mi phts6253)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Атомная и электронная структура поверхности CdTe (111)$B$–(2$\sqrt3\times4$) орт.

В. Л. Бекенев, С. М. Зубкова

Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев
Аннотация: Впервые проведены ab initio расчеты атомной и электронной структуры четырех вариантов полярной поверхности CdTe (111)$B$–(2$\sqrt3\times4$) орт., заканчивающейся Te: идеальной, релаксированной, реконструированной и реконструированной с последующей релаксацией. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировали пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком $\sim$16 $\mathring{\mathrm{A}}$. Для замыкания оборванных связей Cd на противоположной стороне пленки добавляли 24 фиктивных атома водорода с зарядом 1.5 электрона каждый. Ab initio pасчеты проводили с использованием программы Quantum Espresso, основанной на теории функционала плотности. Показано, что релаксация приводит к расщеплению верхних четырех слоев. Для четырех вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полные и послойные плотности электронных состояний.
Поступила в редакцию: 01.03.2016
Принята в печать: 29.03.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 1, Pages 23–33
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261701002X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Л. Бекенев, С. М. Зубкова, “Атомная и электронная структура поверхности CdTe (111)$B$–(2$\sqrt3\times4$) орт.”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 26–35; Semiconductors, 51:1 (2017), 23–33
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BekZub17}
\by В.~Л.~Бекенев, С.~М.~Зубкова
\paper Атомная и электронная структура поверхности CdTe (111)$B$--(2$\sqrt3\times4$) орт.
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 26--35
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6253}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43991.8226}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28969401}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 23--33
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261701002X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6253
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p26
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024