Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 22–25
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43990.8274 (Mi phts6252) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Время жизни избыточного электрона в порошках Cu–Zn–Sn–Se

Г. Ф. Новиковa, М. В. Гапановичa, В. Ф. Гременокb, К. В. Бочаровa, W.-T. Tsaic, Ming-Jer Jengc, Liann-Be Changc

a Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
b Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Республика Беларусь
c Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan
PDF полного текста (194 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43990.8274
Аннотация: Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости в диапазоне 36 ГГц в интервале температур 200–300 K изучена кинетика гибели носителей тока в порошках Cu–Zn–Sn–Se, полученных ампульным твердофазным методом синтеза. Время жизни избыточных электронов при комнатной температуре оказалось меньше 5 нс. Энергия активации для процесса рекомбинации составила $E_{a}$ $\sim$ 0.054 эВ.
Поступила в редакцию: 13.04.2016
Принята в печать: 28.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 1, Pages 18–22
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617010171
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Ф. Новиков, М. В. Гапанович, В. Ф. Гременок, К. В. Бочаров, W.-T. Tsai, Ming-Jer Jeng, Liann-Be Chang, “Время жизни избыточного электрона в порошках Cu–Zn–Sn–Se”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 22–25; Semiconductors, 51:1 (2017), 18–22
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NovGapGre17}
\by Г.~Ф.~Новиков, М.~В.~Гапанович, В.~Ф.~Гременок, К.~В.~Бочаров, W.-T.~Tsai, Ming-Jer~Jeng, Liann-Be~Chang
\paper Время жизни избыточного электрона в порошках Cu--Zn--Sn--Se
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 22--25
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6252}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43990.8274}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28969400}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 18--22
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617010171}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6252
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p22
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024