|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронные свойства полупроводников
Время жизни избыточного электрона в порошках Cu–Zn–Sn–Se
Г. Ф. Новиковa, М. В. Гапановичa, В. Ф. Гременокb, К. В. Бочаровa, W.-T. Tsaic, Ming-Jer Jengc, Liann-Be Changc a Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
b Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Республика Беларусь
c Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan
Аннотация:
Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости в диапазоне 36 ГГц в интервале температур 200–300 K изучена кинетика гибели носителей тока в порошках Cu–Zn–Sn–Se, полученных ампульным твердофазным методом синтеза. Время жизни избыточных электронов при комнатной температуре оказалось меньше 5 нс. Энергия активации для процесса рекомбинации составила $E_{a}$ $\sim$ 0.054 эВ.
Поступила в редакцию: 13.04.2016 Принята в печать: 28.04.2016
Образец цитирования:
Г. Ф. Новиков, М. В. Гапанович, В. Ф. Гременок, К. В. Бочаров, W.-T. Tsai, Ming-Jer Jeng, Liann-Be Chang, “Время жизни избыточного электрона в порошках Cu–Zn–Sn–Se”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 22–25; Semiconductors, 51:1 (2017), 18–22
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6252 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p22
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 42 | PDF полного текста: | 6 |
|